Samsung MZ-V8P2T0BW internal solid state drive
Samsung · Réf. MZ-V8P2T0BW
| Capacité du Solid State Drive (SSD) | 2 To |
| Facteur de forme SSD | M.2 |
| Interface | PCI Express 4.0 |
| NVMe | Oui |
| Type de mémoire | V-NAND MLC |
| composant pour | PC |
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Description
Samsung MZ-V8P2T0BW. Capacité du Solid State Drive (SSD): 2 To, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 7000 Mo/s, Vitesse d'écriture: 5100 Mo/s, composant pour: PC
Toutes les caractéristiques
| Code du système harmonisé | 84717070 |
| Température d'opération | 0 - 70 °C |
| Température minimale de fonctionnement | 0 °C |
| Température maximale de fonctionnement | 70 °C |
| Choc durant le fonctionnement | 1500 G |
| Type d'emballage | Boîte |
| Largeur | 80,2 mm |
| Profondeur | 2,38 mm |
| Hauteur | 22,1 mm |
| Poids | 9 g |
| Tension de fonctionnement | 3,3 V |
| Consommation (max) | 7,2 W |
| Consommation d'énergie (moyenne) | 6,1 W |
| Consommation d'énergie (mode veille) | 0,035 W |
| Consommation électrique (idle) | 0,035 W |
| Version NVMe | 1.3c |
| Algorithme de sécurité soutenu | 256-bit AES |
| Capacité du Solid State Drive (SSD) | 2 To |
| Facteur de forme SSD | M.2 |
| Interface | PCI Express 4.0 |
| NVMe | Oui |
| Type de mémoire | V-NAND MLC |
| composant pour | PC |
| Le chiffrement matériel | Oui |
| Taille du SSD M.2 | 2280 (22 x 80 mm) |
| Vitesse de lecture | 7000 Mo/s |
| Vitesse d'écriture | 5100 Mo/s |
| Lecture aléatoire (4KB) | 1000000 IOPS |
| Écriture aléatoire (4KB) | 1000000 IOPS |
| Type de contrôleur | Samsung Elpis |
| Flux de données d'interface PCI Express | x4 |
| Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif) | Oui |
| Support S.M.A.R.T. | Oui |
| Support TRIM | Oui |
| Temps moyen entre pannes | 1500000 h |
Fiche produit : Open Icecat. Les caractéristiques sont fournies par le fabricant et peuvent comporter des erreurs.
