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Mémoire RAM Kingston Technology ValueRAM 4 Go (KVR16LS11/4) vs Mémoire RAM Kingston Technology ValueRAM 4 Go (KVR16S11S8/4)
Mémoire RAM Kingston Technology ValueRAM 4 Go (KVR16LS11/4) vs Mémoire RAM Kingston Technology ValueRAM 4 Go (KVR16S11S8/4)
Modules de mémoire · gamme Kingston Technology ValueRAM
Le Mémoire RAM Kingston Technology ValueRAM 4 Go (KVR16LS11/4) et le Mémoire RAM Kingston Technology ValueRAM 4 Go (KVR16S11S8/4) appartiennent tous deux à la gamme Kingston Technology ValueRAM. Ils ont 24 caractéristiques en commun et se distinguent sur 2 points, notamment type de mémoire interne et mémoire de tension. Voici leur comparatif détaillé, caractéristique par caractéristique.
Les principales différences
Caractéristique Mémoire RAM Kingston Technology ValueRAM 4 Go (KVR16LS11/4) Mémoire RAM Kingston Technology ValueRAM 4 Go (KVR16S11S8/4)
Type de mémoire interne DDR3L DDR3 Mémoire de tension 1.35,1.5 V 1.5 V
Comparatif complet les valeurs différentes sont surlignées
Autres caractéristiques
Organisation des puces X8 X8 Pays d'origine Taïwan Taïwan Fréquence d'horloge de bus 1600 MHz 1600 MHz Indicateur d'erreurs Non Non Disposition de la mémoire 1 x 4096 Mo 1 x 4096 Mo Mémoire interne 4096 Mo 4096 Mo
Données logistiques
Code du système harmonisé 84733020 84733020
Poids et dimensions
Largeur 67,6 mm 67,6 mm Hauteur 30 mm 30 mm
Conditions environnementales
Température d'opération 0 - 85 °C 0 - 85 °C Température hors fonctionnement -55 - 100 °C -55 - 100 °C
Caractéristiques
Latence CAS 11 11 Disposition de la mémoire (modules x dimensions) 1 x 4 Go 1 x 4 Go Type de mémoire interne DDR3L DDR3 Débit de transfert des données de mémoire 1600 MT/s 1600 MT/s composant pour Ordinateur portable Ordinateur portable Support de mémoire 204-pin SO-DIMM 204-pin SO-DIMM ECC Non Non Mémoire Bus 64 bit 64 bit Type de mémoire mise en cache Unregistered (unbuffered) Unregistered (unbuffered) Mémoire de tension 1.35,1.5 V 1.5 V Configuration de module 512M X 64 512M X 64 Temps du cycle de la ligne (TRC) 48,125 ns 48,125 ns Refresh row cycle time (TRFC) 260 ns 260 ns Rayon de temps actif 35 ns 35 ns Placage en plomb Or Or Niveau de mémoire — 1
Informations sur l'emballage
Type d'emballage — SO-DIMM
Fiches produits : Open Icecat . Les caractéristiques sont fournies par les fabricants.
